Uniklo údajné benchmarkové skóre americké verze Samsungu Galaxy S10+

Do éteru se dostalo údajné skóre americké varianty chystané vlajkové lodi Samsungu Galaxy S10+ z populárního benchmarku Geekbench. Smartphone v něm v testu jednoho jádra dosáhl 3413 bodů, v multijádrovém pak 10 256 bodů.

Skóre je podstatně vyšší než to, které ve stejném benchmarku před pár dny údajně dosáhl nejslabší telefon řady S10, model Galaxy S10 Lite, někdy uváděný jako S10 E. Ten v testu na jedno jádro získal 1986 bodů, v testu více jader 6266 bodů. Oba modely by přitom v USA měly používat stejný čip – Snapdragon 855.

Z údajů benchmarku vyplývá, že testovaný Galaxy S10+ má 6 GB RAM, což odpovídá dosavadním spekulacím, které se zmiňují o 6 nebo 8 GB paměti. Stejnou velikost benchmark uvádí i u modelu S10 Lite, který však má podle neoficiálních zpráv dostat do vínku jen 4 GB. Velký výkonnostní rozdíl mezi oběma telefony by mohl být dán tím, že prototyp modelu S10+ je momentálně podstatně vyspělejší a že běží na lépe optimalizovaném Androidu 9.0.

Vlajková řada bude představena 20. února na eventu Unpacked a podle nejnovějších neoficiálních informací bude na trh uvedena 8. března. Údajný čtvrtý model, 5G verze Galaxy S10 s názvem S10 X, prý bude dostupný od 29. března. Novinky budou údajně stát 700–1400 dolarů.

Zdroj: phonearena.com